日本ULVAC爱发科CRTM-R1水晶式成膜控制器 薄膜厚度控制

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爱发科 CRTM-R1 是一种用于测量和控制薄膜厚度及沉积速率的设备，以下是它的详细介绍：

产品介绍

CRTM-R1 是一种高精度的膜厚测量仪器，采用先进的测量技术，能够实时监测薄膜在沉积过程中的厚度变化和沉积速率，适用于多种薄膜材料和工艺过程。

产品特点

高精度测量：具备极高的测量精度，可精确检测薄膜厚度在纳米级别甚至更细微的变化，确保薄膜厚度的一致性和均匀性。例如，可实现对镀膜过程中薄膜厚度的实时监控，及时调整工艺参数，保证产品质量。多种测量模式：支持多种测量模式，能够适应不同的薄膜材料及工艺要求，如单晶、多晶体、非晶体等表面的测量，以及在不同温度、压力等环境条件下的测量。高稳定性和可靠性：产品设计科学合理，采用高品质的硬件和材料，保证了设备在长期运行过程中的稳定性和可靠性，减少了因设备故障导致的生产中断和损失。智能控制与操作：具有智能的控制和操作功能，能够自动进行零点校正、灵敏度校正等操作，简化了操作流程，降低了对操作人员的专业要求。同时，具备故障自诊断功能，可及时发现并提示设备故障，便于快速维修和维护。多种输出信号：可输出薄膜厚度和沉积速率的模拟信号，方便与外部设备进行连接和数据传输，实现自动化控制和数据采集分析。

技术参数

频率范围：1.5MHz 至 3MHz。测量范围：0 至 9999.9nm。测量分辨率：0.1nm（在 0 至 99.9nm 范围内）；0.01nm（在大于等于 100nm 至 9999.9nm 范围内）。测量灵敏度：20MHz/cm（典型值）。波长比：1.5 至 20。零点校正范围：0 至 1000.0nm。零点校正分辨率：0.1nm（在 0 至 999.9nm 范围内）；0.01nm（在大于等于 1000.0nm 至 10000.0nm 范围内）。灵敏度校正范围：0 至 10000.0nm。灵敏度校正分辨率：0.1nm（在 0 至 999.9nm 范围内）；0.01nm（在大于等于 1000.0nm 至 10000.0nm 范围内）。薄膜厚度输出信号：模拟信号输出，可选择 ±0.75V、±1.5V、1.5kΩ、3kΩ、±(0.75V + 1.5V) 等多种模式。薄膜厚度输出灵敏度：0.1mV/nm。沉积速率输出信号：模拟信号输出，可选择 ±0.75V、±1.5V、1.5kΩ、3kΩ 等多种模式。沉积速率输出灵敏度：0.1mV/(nm/min)。电源要求：AC100V 至 240V，50Hz 至 60Hz，最大功率消耗小于 30W。工作温度范围：0 至 80℃（测量最高可达 150℃）。外形尺寸：240mm（宽）×99mm（高）×350mm（深）。重量：2.8kg。

应用领域

半导体制造：在半导体芯片制造过程中，用于监测和控制光刻胶、氧化层、金属层等薄膜的沉积过程，确保薄膜厚度和性能符合设计要求，提高芯片的性能和稳定性。光学镀膜：在光学镜片、滤光片、反射镜等光学元件的镀膜工艺中，实时监测膜厚和沉积速率，实现对薄膜光学性能的精确控制，提高产品的质量和一致性。微电子机械系统（MEMS）制造：对 MEMS 器件中的薄膜材料进行精确的厚度测量和控制，如压敏传感器、加速度计、微镜阵列等，保证器件的微纳结构和性能的精确性。材料科学与研发：在新型材料的研发过程中，如纳米材料、薄膜材料、复合材料等，用于研究材料的沉积特性、生长机制和性能与厚度的关系，为新材料的开发提供重要的实验数据和技术支持。

相关配件

CRTS-N 系列传感器：包括 CRTS-0、CRTS-1、CRTS-2、CRTS-12N、CRTS-12NS、CRTS-M6 等型号，可与 CRTM-R1 配合使用，适用于不同的测量范围和应用场景。ACM-12N、ACM-16N、ACM-20N、ACM-25N、ACM-32N：这些型号的设备与 CRTM-R1 相关，可能用于不同的测量范围或特殊应用，如 ACM-12N 用于测量质量数范围为 1 至 12 amu 的氦气，适用于氦气检漏等应用。ULCA-200：可能是一种电源或适配器，为 CRTM-R1 提供稳定的电源支持。KFM-350：可能是一种校准或测试设备，用于对 CRTM-R1 进行校准和性能测试，确保测量的准确性和可靠性。Qulee QCS：这是一款软件，适用于 Windows 8/10/11 操作系统，可与 CRTM-R1 配合使用，实现对设备的远程控制、数据分析和处理等功能，提高工作效率和数据管理的便捷性。

软件支持

Qulee QCS：标准搭载 Qulee QCS Ver.4.2 及以上版本软件，适用于 Windows 8/10/11 操作系统，可实现对设备的远程控制、数据分析和处理等功能，提高工作效率。